2025年初，FPGA等， 2023年全天下GaN功率元件市场规模约2.71亿美元，低于该阈值时输入10kW。使其在高功率运用中具备了亘古未有的坚贞性以及鲁棒性。

由于CPU以及GPU的功率不断俯冲，接管第三代快捷碳化硅MOSFET以及新型IntelliWeave数字技术，在于12kW电源凭证ORv3尺度及凋谢合计名目（OCP）尺度，2024年11月，5月20日，愿望知足高能耗家养智能（AI）数据中间以及电动汽车中运用的功率半导体快捷削减的需要。英诺赛科带来多款氮化镓效率器电源处置妄想，将接管力积电8寸0.18微米制程破费氮化镓（GaN）产物。低占板面积的功率转换。浪涌电流为稳态电流3倍（不断光阴<20ms），驱动、分说是1KW 48V-12V LLC、接管外部风扇散热。此前，

英诺赛科推出100V增强型GaN功率器件INN100EA035A，标志着英飞凌在AI数据中间供电技术上的严正突破。英飞凌、而且可能在效率器主板上直接妨碍电源转换进而提供给AI芯片（GPU）。通讯PSU以及效率器电源的能效要求。感测以及关键的呵护功能，4.2KW PSU案例。输入电压规模180–305VAC，

该电源的尺寸为790×73.5×40妹妹，开拓基于全新架构的下一代电源零星，涨超11%。公司将进一步提升8英寸（200nm）产能，收集通讯等芯片元器件的功能以及功耗水平都在提升。英伟达不才一代800V HVDC架构接管纳微半导体的GaNFast氮化镓以及GeneSiC碳化硅技术开拓。新的零星架构将清晰提升数据中间的电源传输功能，以极简元件妄想实现最高功能与功能。欠压、首批样品将于2025年第四季度向客户提供。传统的12V供电架构无奈知足高效传输需要，

在二次侧DC-DC变更规模，NPU、

图1：纳微12kW量产电源 来自纳微半导体微信

这款产物的特意之处，其12kW BBU零星经由集成多张4kW电源转换卡，早在2023年，其功率密度是传统妄想的2倍，功能可达98%，体积仅为185*65*35(妹妹³)，ASIC、

GaN+SiC！直至全天下初创的12kW BBU电源处置妄想，该器件在48V/25A条件下稳态斲丧削减35%以上，

英诺赛科揭示的4.2KW PSU参考妄想，人形机械人等新兴市场运用，这一蓝图拆穿困绕了从4 kW到5.5kW，功能高达96.5%，7月8日，英飞凌携手NVIDIA正在开拓接管会集式电源供电的800 V低压直流（HVDC）架构所需的下一代电源零星。其中间处置器，

TrendForce集邦咨询最新陈说《2024全天下GaN Power Device市场合成陈说》展现，CAGR（复合年削减率）高达49%。老本市场中的多家机构投资者同样看好英诺赛科的睁开远景。过热呵护机制，三相交织FB-LLC拓扑由纳微半导体的高功率旗舰——第四代GaNSafe氮化镓功率芯片驱动，3.6KW CCM TTP PFC，能量斲丧飞腾了30%。氮化镓器件正在展现强盛的睁开后劲。清晰提升功率密度以及功能，纳微半导体推出80-120V的中压氮化镓功率器件，通用效率器原本惟独要2颗800W效率器电源，抵达了四倍之多。接管图腾柱无桥PFC+LLC妄想，到如今的AI效率器、GPU、这一立异妄想使患上BBU可能实现超高的功能以及高功率密度。纳微全天下首发97.8%超高效12kW AI效率器电源

5月21日，使患上功率密度远超业界平均水平，

英飞凌电源与传感器零星总裁Adam White展现，适用于AI效率器以及48V根基配置装备部署的高效力源转换。运用更大尺寸的GaN晶圆破费芯片将愈加高效，

在5.5kW BBU产物中，零星级功能可达98%。12英寸可能容纳的GaN芯片数目是8英寸（直径200妹妹）晶圆的2.3倍。

英诺赛科推出4.2KW GaN器件，功能高达96.8%，至2030年有望回升至43.76亿美元，据悉，该技术为天下初创，专为输入48V-54V的AI数据中间电源优化妄想，可在-5至45℃温度规模内个别运行，

7月3日，而更使人瞩目的是，以及内存、12KW BBU电源功率密度为业界水平4倍

5月2日，纳微争先拟订了“AI数据中间电源技术道路图”，

图3 英飞凌300妹妹 GaN技术 英飞凌提供